結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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結晶成長やデバイスのシミュレーションの提供

半導体の製造技術である結晶成長やデバイスプロセス、その研究開発用途で使用されるシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションソフトウェア・ソフトウェアを使用した受託解析・結晶成長やデバイスプロセスの技術コンサルティングを提供いたします。

STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、30年を超える研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。

バルク結晶成長：融液・溶液・気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP）、酸化物（Sapphire, CaF2, GGG, YAG) などの結晶成長

エピタキシャル成長：気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInN）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP）、酸化物（Ga2O3）などの結晶成長

デバイス：光学デバイス（LED, レーザー、太陽電池）、電子デバイス（HEMT）など

新着情報

2018年10月23日

【自社主催】結晶成長解析セミナー　2018　
〜結晶成長シミュレーションを用いた最新研究事例と製品開発プランの紹介〜

【申込方法】
以下情報を明記のうえ、弊社営業部（str-sales@str-soft.co.jp）までお申込みください。
ご所属団体、お名前、ご連絡先（電話番号およびメールアドレス）、懇親会への出席可否

【日時】
2018年12月7日（金曜日）　セミナー：13:00〜17:45　懇親会：18:00〜20:00

【会場】
セミナー：横浜ビジネスパーク　ウェストタワー7階　大会議室
（相鉄線天王町駅南口より徒歩5分もしくは JR 保土ヶ谷駅から無料シャトルバス）
懇親会：同建物1階　Espresso Americano 横浜ビジネスパーク店

【参加費】
無料（セミナーおよび懇親会）

【演目】
「点欠陥精密制御に役立つCGSimによる大口径CZ-Si結晶育成シミュレーション」　 　　　　
末岡 浩治先生（岡山県立大学）

「VRを用いたSiCトレンチ埋込トポグラフィー・シミュレーション向け境界条件の決定」　
望月 和浩様（産業技術総合研究所）

「Optimization of Deposition Uniformity during Silicon Epitaxy in Deep Trenches」
Roman Talalaev（STR Group）

「Improvement of GaN crystal growth from Na-Ga melt by ACRT」
Vladimir Kalaev（STR Group）

「Modeling of carbon incorporation during GaN MOVPE」
Roman Talalaev（STR Group）

「機械学習による結晶成長モデリングと最適条件自動取得（SiC溶液成長を例に）」
宇治原 徹先生（名古屋大学）

「製品開発プラン：融液・溶液・気相からの結晶成長（CGSim, Virtual Reactor, CVDSim など）」
飯塚 将也（STR Japan）

「製品開発プラン：デバイス（SiLENSe, SpeCLED, RATRO など）」
向山 祐次（STR Japan）

詳細については、以下リンク先（結晶成長解析セミナー2018のご案内）をご参照ください。
http://www.str-soft.co.jp/dataimge/1540272611.pdf

2018年10月23日

STR グループは、以下に参加し、最新情報を提供いたします。

「第6回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会」
日時：2018年10月31日（水）〜11月2日（金）
形態：口頭発表、ポスター展示
発表演目：結晶成長シミュレーションの最前線と課題
発表者：向山裕次（STR Japan）
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://www.riam.kyushu-u.ac.jp/nano/gakushin145/seminar/6th_shuisyo.pdf

2018年10月23日

STR グループは、以下に参加し、最新情報を提供いたします。

第47回結晶成長国内会議（JCCG-47）
日時：2018年10月31日（水）〜11月2日（金）
場所：仙台市戦災復興記念館
形態：企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jp/event/2018/jccg-47/

2018年10月23日

STR グループは、以下に参加し、最新情報を提供いたします。

先進パワー半導体分科会　第5回講演会
日時：2018年11月6日（火）〜7日（水）
場所：京都テルサ
形態：企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://annex.jsap.or.jp/adps/scrm05/

2018年10月23日

STR グループは、以下に参加し、最新情報を提供いたします。

International Workshop on Nitride Semiconductors
(IWN 2018)
日時：2018年11月11日（日）〜16日（金）
場所：石川県立音楽堂／ANAクラウンプラザホテル
形態：企業展示、広告、口頭発表

題名：Indium incorporation in quaternary InxAlyGa1-x-yN for UVB-LEDs
発表者：Tim Wernicke,1 Johannes Enslin,1 Gunnar Kusch,2 Anna Lobanova,3 Tolga Teke,1 Roman Talalaev,3 Robert Martin,2
and Michael Kneissl1
1Technische Universität Berlin, Institute of Solid State Physics, Germany, 2Department of Physics, SUPA, University of
Strathclyde, United Kingdom, 3STR Group Inc., Russia

題名：Effect of die shape and size on performance of µ-LEDs
発表者：Kirill Bulashevich, Sergey Konoplev, and Sergey Karpov
STR Group - Soft-Impact, Ltd., 194044 St.Petersburg, Russia

題名：Analysis of strain and dislocation evolution during MOCVD growth of AlGaN/GaN
power HEMT structure
発表者：Roman Talalaev,1 Mikhail Rudinsky,1 Eugene Yakovlev,1 Tomas Novak,2 Petr Kostelnik,2 and Jan Sik2
1STR Group - Soft-Impact Ltd., Russia, 2ON Semiconductor Czech Republic, Czech Republic

題名：Impact of growth conditions on critical thickness of polar InGaN/GaN heterostructures
発表者：Mikhail Rudinsky, Sergey Karpov, and Roman Talalaev
STR Group - Soft-Impact, Ltd., 194044 St.Petersburg, Russia

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.iwn2018.jp/

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