様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、シミュレーションソフトウェア・受託解析・技術コンサルティングを提供いたします。
STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、30年余りの結晶成長の研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。
バルク結晶成長
シリコン、窒化物（GaN, AlN）、SiC、III-V 族（GaAs, InP, GaP）、酸化物（Sapphire, CaF2, GGG, YAG)等
エピタキシャル成長
シリコン、窒化物（GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInN）、SiC、III-V 族（GaAs, InP, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP）等
デバイス
光学デバイス（LED, レーザー、太陽電池）、電子デバイス（HEMT）等
