結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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結晶成長やデバイスのシミュレーションの提供

様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、シミュレーションソフトウェア・受託解析・技術コンサルティングを提供いたします。

STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、30年余りの結晶成長の研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。

バルク結晶成長 シリコン、窒化物(GaN, AlN)、SiC、III-V 族(GaAs, InP, GaP)、酸化物(Sapphire, CaF2, GGG, YAG)等

エピタキシャル成長 シリコン、窒化物(GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInN)、SiC、III-V 族(GaAs, InP, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP)等

デバイス 光学デバイス(LED, レーザー、太陽電池)、電子デバイス(HEMT)等

新着情報

2017/7/18

Virtual Reactor ver7.6がリリースされました。


2017/7/12

弊社夏季休暇のご連絡
8/14(月)〜 8/18(金)は、弊社夏季休暇となりますので、予めご了承下さい。


2017/7/12

●International Workshop on UV Materials and Devices 2017
日時:2017年 11月 14日(月) 〜 18日(金)
場所:九州大学医学部百年講堂
内容:企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.iwumd.jp/


2017/7/12

●第78回 応用物理学会 秋季学術講演会
日時:2017年 9月 5日(火) 〜 8日(金)
場所:福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
内容:ポスター発表・企業展示
■題名 : シリコン基板上への(0001)AlN/GaN超格子構造作成における応力、反り、貫通転位密度制御の数値解析による検討
発表者:向山 裕次 (STR Japan)
■題名 : CVD法によるZnS, ZnSe結晶成長の数値解析
発表者:飯塚 将也 (STR Japan)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://meeting.jsap.or.jp/


2017/7/12

●The 29th International Conference on Defects in Semiconductors
日時:2017年 7月 31日(月) 〜 8月 4日(金)
場所:くにびきメッセ(島根県立産業交流会館)
内容:企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.icds2017.org/


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