結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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結晶成長やデバイスのシミュレーションの提供

様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、シミュレーションソフトウェア・受託解析・技術コンサルティングを提供いたします。

STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、30年余りの結晶成長の研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。

バルク結晶成長 シリコン、窒化物(GaN, AlN)、SiC、III-V 族(GaAs, InP, GaP)、酸化物(Sapphire, CaF2, GGG, YAG)等

エピタキシャル成長 シリコン、窒化物(GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInN)、SiC、III-V 族(GaAs, InP, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP)等

デバイス 光学デバイス(LED, レーザー、太陽電池)、電子デバイス(HEMT)等

新着情報

2016/12/1

弊社冬季休暇のご連絡
12/30(金)〜 1/5(木)は、弊社冬季休暇となりますので、予めご了承下さい。


2016/11/30

CGSim ver16.1がリリースされました。


2016/10/20

●先進パワー半導体分科会 第3回講演会
日時:2016年11月 8日(火) 〜 9日(水)
場所 : つくば国際会議場
内容 : 企業展示、インダストリアルセッション
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://annex.jsap.or.jp/adps/scrm/index.html


2016/10/20

お蔭をもちまして「エピタキシャル成長中の "歪み・基板の反り" セミナー」は無事終了いたしました。
ご来場のみなさま、ご協力いただいたみなさまに深く感謝申し上げます。


2016/9/12

!名古屋会場変更のお知らせ!
名古屋会場が変更になりました。
お手数をおかけして申し訳ありません。詳細は上記リンクをご参照ください。


●エピタキシャル成長中の "歪み・基板の反り" セミナー
日時:2016年 10月 18日(火) 【名古屋】 13:30 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:名古屋国際センター3階 第2研修室(名古屋市中村区)
※名古屋会場は定員に達しましたので、お申し込みを締め切ります。
日時:2016年 10月 19日(水) 【横浜】 13:30 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 大会議室(横浜市保土ヶ谷区)
詳細は、以下リンク先をご参照ください。
合同セミナーのお知らせ


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