結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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結晶成長やデバイスのシミュレーションの提供

様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、シミュレーションソフトウェア・受託解析・技術コンサルティングを提供いたします。

STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、30年余りの結晶成長の研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。

バルク結晶成長 シリコン、窒化物(GaN, AlN)、SiC、III-V 族(GaAs, InP, GaP)、酸化物(Sapphire, CaF2, GGG, YAG)等

エピタキシャル成長 シリコン、窒化物(GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInN)、SiC、III-V 族(GaAs, InP, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP)等

デバイス 光学デバイス(LED, レーザー、太陽電池)、電子デバイス(HEMT)等

新着情報

2016/9/12

●エピタキシャル成長中の "歪み・基板の反り" セミナー
日時:2016年 10月 18日(火) 【名古屋】 13:30 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:名古屋国際センター3階 第2研修室(名古屋市中村区)
日時:2016年 10月 19日(水) 【横浜】 13:30 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 大会議室(横浜市保土ヶ谷区)
詳細は、以下リンク先をご参照ください。
合同セミナーのお知らせ


2016/8/24

●第77回応用物理学会秋季学術講演会
日時:2016年 9月 13日(火) 〜 16日(金)
場所:朱鷺メッセ
内容:ポスター発表
題名:数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://meeting.jsap.or.jp/


2016/7/27

●ICCGE-18
日時:2016年 8月 7日(日) 〜 12日(金)
場所:名古屋国際会議場
内容:企業展示、口頭発表、ポスター発表
題名:Numerical study of microdefect formation during Cz growth of monocrystalline silicon
発表者:Vasif M. Mamedov(STR)
題名:Modeling of Dislocation Dynamics in germanium Czochralski growth
発表者:Vladimir V. Artemyev(STR)
題名:Strain engineering for electronic devices: modeling capabilities
発表者:Sergey Yu Karpov(STR)
題名:Advanced Modeling of MOVPE Processes
発表者:Eugene Yakovlev(STR)
題名:Melt Flow before Crystal Seeding in Cz Si Growth with Transversal MF
発表者:飯塚 将也 (STR Japan 株式会社)
題名:Using of simplified geometry of Cz Si crystal growth process with transverse magnetic field for analysis of numerical parameters
発表者:Vladimir Kalaev(STR)
題名:Modeling Solutions for Growth of Silicon Carbide
発表者:向山 裕次 (STR Japan 株式会社)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.iccge18.jp/index.html


2016/6/14

●CSW2016 (The 2016 Compound Semiconductor Week)
日時:2016年 6月26日(日) 〜 30日(木)
場所: 富山国際会議場
内容: 企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://csw-jpn.org/


2016/5/6

●第8回 窒化物半導体結晶成長講演会
日時:2016年 5月 9日(月)13:00 〜 10日(火)16:45(予定)
場所:京都大学桂キャンパス ローム記念館
内容:企業展示、ポスター発表
題名:数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jacg/japanese/nanoepi/nanoepi_8/index.html


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