結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

半導体の製造技術である結晶成長やデバイスプロセス、その研究開発用途で使用されるシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションソフトウェア・ソフトウェアを使用した受託解析・結晶成長やデバイスプロセスの技術コンサルティングを提供いたします。

STR グループが提供するシミュレーションは、ロシアの国立科学アカデミーであるヨッフェ物理学技術研究所とドイツのエルランゲン大学から始まり、30年を超える研究と解析経験から培った技術により開発されたもので、以下のような様々な結晶成長やデバイスの解析用途で使用されます。

バルク結晶成長：融液・溶液・気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP）、酸化物（Sapphire, CaF2, GGG, YAG) などの結晶成長

エピタキシャル成長：気相法でのシリコン、窒化物（GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInN）、炭化ケイ素、III-V 族（GaAs, InP, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP）、酸化物（Ga2O3）などの結晶成長

デバイス：光学デバイス（LED, レーザー、太陽電池）、電子デバイス（HEMT）など

2018年9月6日

学会発表のお知らせ
STR グループは以下のイベントに参加し最新情報を提供いたします。
皆様のお越しをお待ち申し上げております。

International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)
日時：2018年10月21日（日）～24日（水）
場所：Sheraton Kona Resort & Spa (Keauhou Bay, Big Island, HI)
形態：口頭発表
題名：Effect of numerical parameters on prediction of the melt flow prediction and impurity transport within a simplified and real Cz Si crystal growth process geometry with effect of transverse magnetic fields
発表者：Svetlana Demina (STR Group-Soft-Impact Ltd.,)
題名：Numerical Modeling of Effect of Thermal Stress and Heavy Doping for Behavior of Intrinsic Point Defects in Large-diameter Si Crystal Growing by Czochralski Method
発表者：Yuji Mukaiyama (STR Japan K.K.)
題名：Modeling of Bowing, Stress and Threading Disclocation Density Evolution in III-nitride Heterostructures Grown on Si Substrate (Invited)
発表者：Roman Talalaev (STR Group-Soft-Impact Ltd.,)
題名：Modeling the Effect of TaC-coated Crucible on PVT SiC Single Crystal Growth
発表者：Alex Galyukov (STR US, Inc.)
題名：Numerical Modeling of β-Ga2O3 Crystal Growth by Czochralski Method to Investigate the Spiral Formation of Crystal
発表者：Masaya Iizuka (STR Japan K.K.)

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://iwmcg-9.cems.umn.edu/

2018年8月9日

夏季休業のお知らせ

平素は格別のお引き立てを賜り、厚く御礼申し上げます。
弊社の夏季休業について、以下のようにお知らせします。

夏季休業期間
8月11日（土）～8月19日（日）

夏季休業期間中のお問い合わせについては、夏季休業期間後に返答いたします。
ご不便をおかけして大変恐縮ですが、何卒ご了承くださいますよう、よろしくお願いいたします。

2018年8月9日

他社セミナーでの発表のお知らせ
STR グループは以下のイベントに参加し、ANSYS 社の Fluent に化学反応モデルをアドオンするソフトウェア【CVDSim add-on for Fluent】の最新情報を提供いたします。
皆様のお越しをお待ち申し上げております。

【CFD セミナーシリーズ】 CVD プロセスのためのANSYS 流体解析セミナー
日時：2018年9月14日（金）13時～17時
場所：ベルサール新宿グランド　５F コンファレンスセンター　ルームC
形態：口頭発表
題名：化学反応モデルアドオンモジュールCVDSim を活用したCVD プロセスの解析事例のご紹介
発表者：飯塚将也（STR Japan）

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://www.ansys.com/ja-jp/other/ja-jp/seminar/2018/cvd

企業展示のお知らせ
STR グループは以下のイベントに参加し最新情報を提供いたします。
皆様のお越しをお待ち申し上げております。

第79回応用物理学会秋季学術講演会
日時：2018年9月18日（火）～21日（金）
場所：名古屋国際会議場
形態：企業展示

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://meeting.jsap.or.jp/

2018年2月9日

STR グループは、以下の学会や展示会に参加し、最新情報を提供いたします。

10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)
日時：2018年4月8日（日）～11日（水）
場所：東北大学　金属材料研究所
形態：企業広告
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.numse.nagoya-u.ac.jp/photonics/CSSC10/main.html

The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
日時：2018年6月8日（日）～8日（金）
場所：奈良春日野国際フォーラム
形態：企業展示および広告
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.icmovpe.jp/

International Workshop on Nitride Semiconductors
(IWN 2018)
日時：2018年11月11日（日）～16日（金）
場所：石川県立音楽堂／ANAクラウンプラザホテル
形態：企業展示および広告
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.iwn2018.jp/

第8回シリコン材料の科学と技術フォーラム 2018
日時：2018年11月18日（日）～21日（水）
場所：岡山大学創立五十周年記念館
形態：企業展示および広告
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.ec.okayama-u.ac.jp/~dm/siforum/index.html