イベント
STR グループは、2016年以下の学会や展示会に参加いたしました
| ●応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第179回 研究集会 日時 : 2016年 2月26日(金)13:00 - 18:00 場所：学習院大学 中央棟301教室 内容：口頭発表 題名：シーメンスプロセスでの多結晶シリコン結晶成長解析 発表者：向山 裕次（STR Japan 株式会社） イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 https://annex.jsap.or.jp/silicon/shousai/dai190.htm |
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| ●第8回 窒化物半導体結晶成長講演会 日時：2016年 5月 9日(月)13:00 〜 10日(火)16:45 場所：京都大学桂キャンパス ローム記念館 内容：企業展示、ポスター発表 題名：数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討 発表者：向山 裕次 （STR Japan 株式会社） イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 http://www.jacg.jp/jacg/japanese/nanoepi/nanoepi_8/index.html |
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| ●CSW2016 (The 2016 Compound Semiconductor Week) 日時：2016年 6月26日(日) 〜 30日(木) 場所 : 富山国際会議場 内容 : 企業展示 イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 http://csw-jpn.org/ |
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| ICCGE-18 (the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy) 日時：2016年 8月 7日(日) 〜 12日(金) 場所：名古屋国際会議場 内容：企業展示、口頭発表、ポスター発表 題名：Numerical study of microdefect formation during Cz growth of monocrystalline silicon 発表者：Vasif M. Mamedov（STR） 題名：Modeling of Dislocation Dynamics in germanium Czochralski growth 発表者：Vladimir V. Artemyev（STR） 題名：Strain engineering for electronic devices: modeling capabilities 発表者：Sergey Yu Karpov（STR） 題名：Advanced Modeling of MOVPE Processes 発表者：Eugene Yakovlev（STR） 題名：Melt Flow before Crystal Seeding in Cz Si Growth with Transversal MF 発表者：飯塚 将也 （STR Japan 株式会社） 題名：Using of simplified geometry of Cz Si crystal growth process with transverse magnetic field for analysis of numerical parameters 発表者：Vladimir Kalaev（STR） 題名：Modeling Solutions for Growth of Silicon Carbide 発表者：向山 裕次 （STR Japan 株式会社） イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 http://www.iccge18.jp/index.html |
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| ●第77回応用物理学会秋季学術講演会 日時：2016年 9月 13日(火) 〜 16日(金) 場所：朱鷺メッセ 内容：ポスター発表 題名：数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討 発表者：向山 裕次 （STR Japan 株式会社） イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 http://meeting.jsap.or.jp/ |
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| ●エピタキシャル成長中の "歪み・基板の反り" セミナー 日時：2016年 10月 18日(火) 【名古屋】 13:30 〜 17:45 （18:00 〜 懇親会） 場所：名古屋国際センター3階 第2研修室（名古屋市中村区） ！名古屋会場変更のお知らせ！ 名古屋会場が変更になりました。 ※名古屋会場は定員に達しましたので、お申し込みを締め切ります。 日時：2016年 10月 19日(水) 【横浜】 13:30 〜 17:45 （18:00 〜 懇親会） 場所：横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 大会議室（横浜市保土ヶ谷区） 詳細は、以下リンク先をご参照ください。 合同セミナーのお知らせ |
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| ●先進パワー半導体分科会 第３回講演会 日時：2016年11月 8日(火) 〜 9日(水) 場所 : つくば国際会議場 内容 : 企業展示、インダストリアルセッション イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 https://annex.jsap.or.jp/adps/scrm/index.html |
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| ●International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016) 日時：2016年 10月 2日(日) 〜 7日(金) 場所： Hilton Orlando Lake Buena Vista ( Orlando, Florida) 内容：口頭発表 題名 : Radiative and Non-Radiative Processes in InGaN-Based LEDs 発表者 : Sergey Karpov 題名 : Control of Stress, Bow, and Dislocation Density in (0001) AlN/GaN Superlattices Grown on Silicon 発表者 : Mikhail Rudinsky イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 http://www.mrs.org/iwn-2016 |
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| ●The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 日時：2016年 11月 21日(月) 〜 25日(金) 場所：Sheraton Kona Resort & Spa at Keauhou Bay (Hawaii) 内容：企業広告 イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 http://hawaii2016.kir.jp/index.html |
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