event2017|結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供する STRJapan 株式会社

お問合せ・資料請求
  • 会社情報
  • 個人情報保護
  • サイトマップ

イベント

日本国内

●第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
日時:2017年 7月 13日(木) 〜 15日(土)
場所:北海道大学フロンティア応用科学研究棟
内容:企業広告
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jacg/japanese/nanoepi/nanoepi_9/
●The 29th International Conference on Defects in Semiconductors
日時:2017年 7月 31日(月) 〜 8月 4日(金)
場所:くにびきメッセ(島根県立産業交流会館)
内容:企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.icds2017.org/
●第78回 応用物理学会 秋季学術講演会
日時:2017年 9月 5日(火) 〜 8日(金)
場所:福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス
内容:ポスター発表・企業展示
■題名 : シリコン基板上への(0001)AlN/GaN超格子構造作成における応力、反り、貫通転位密度制御の数値解析による検討
発表者:向山 裕次 (STR Japan)
■題名 : CVD法によるZnS, ZnSe結晶成長の数値解析
発表者:飯塚 将也 (STR Japan)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://meeting.jsap.or.jp/
●第42回複合材料シンポジウム
日時:2017年 9月 14日(木) 〜 15日(金)
場所:東北大学青葉山キャンパス(青葉記念会館および中央棟議室)
内容:口頭発表
■題名 : CVI法によるSiCセラミックス基複合材料作製プロセスの数値解析
発表者:飯塚 将也 (STR Japan)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jscm.gr.jp/schedule/2017/42CMsympo_program20170828.pdf
●日本学術振興会第162委員会 第105回研究会
日時:2017年 10月 6日(金)
場所:主婦会館 プラザエフ(東京都千代田区)
内容:口頭発表
■題名 :化学反応を含む熱流体解析による窒化物結晶成長プロセスの予測と実験結果との比較検証
発表者:向山 裕次 (STR Japan)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://jsps162.jpn.org/meeting.html
●半導体結晶の高品質化に関する、その場観察・XRD・シミュレーション技術セミナー
【東京会場】
日時:2017年 10月 20日(金) 10:00 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:丸文株式会社 本社5階 大会議室(東京都中央区)
【名古屋会場】
日時:2017年 10月 25日(水) 10:00 〜 17:45 (18:00 〜 懇親会)
場所:ウィンクあいち 11階(名古屋市中村区)
詳細は、以下リンク先をご参照ください。
合同セミナーのお知らせ
●先進パワー半導体分科会 第4回講演会
日時:2017年 11月 1日(水) 〜 2日(木)
場所:名古屋国際会議場
内容:企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://annex.jsap.or.jp/adps/scrm04/index.html
●International Workshop on UV Materials and Devices 2017
日時:2017年 11月 14日(月) 〜 18日(金)
場所:九州大学医学部百年講堂
内容:企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.iwumd.jp/
●第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)
日時:2017年 11月 27日(月) 〜 29日(水)
場所:ホテルコンコルド浜松
内容:企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jacg/japanese/frame_main/18/jccg-46/index.html
●第26回シンポジウム「製膜プロセスシミュレーションの最前線:マルチフィジクスと非定常計算の活用
日時:2017年 11月 27日(月) 13:00〜18:00
場所:東京大学本郷キャンパス 工学部4号館3階42講義室(419号室)
内容:口頭発表
■題名 : MOCVD 法による III族窒化物ヘテロ構造成長中の応力、反り、貫通転位ダイナミクスの数値解析
発表者:向山 裕次 (STR Japan)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www2.scej.org/cre/cvd/event.html

海外

●The 17th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy (EW-MOVPE 17)
日時:2017年 6月18日(日) 〜 21日(水)
場所:MINATEC (Grenoble, France)
内容:ポスター発表
■題名 : Selective area growth of GaN in sub-micron windows
発表者:Anna Lobanova (STR)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://inac.cea.fr/en/Phocea/Page/index.php?id=193
●The 7th International Workshop on Crystal Growth Technology
日時:2017年 7月2日(日) 〜 6日(金)
場所:Seminaris SeeHotel Potsdam (Potsdam, Germany)
内容:ポスター発表
■題名 : Analysis of dislocation density in CZT Bridgman crystal growth using computer modeling
発表者:Vladimir Artemyev (STR)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://iwcgt-7.ikz-berlin.de/
●The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
日時:2017年 7月24日(月) 〜 28日(金)
場所:Strasbourg Convention Center (Strasbourg, France)
内容:口頭発表、企業展示
■題名 : From large-size to micro-LEDs: scaling trends revealed by modeling
発表者:S. S. Konoplev (STR)
■題名 : Effect of carrier localization on recombination processes and efficiency of polar light-emitting diodes operating in the “green gap”
発表者:S. Yu. Karpov (STR)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://icns-12.coulomb.univ-montp2.fr/
●21st American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-21)
and 18th US Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-18)
and 3rd Symposium on 2D Electronic Materials
and Symposium on Epitaxy of Complex Oxides
日時:2017年 7月30日(日) 〜 8月4日(金)
場所:Eldorado Hotel and Spa (Santa Fe, USA)
内容:口頭発表、企業展示
■題名 : Epitaxial growth of ga2o3 by mocvd using oxygen: Experimental study and model verification
発表者:Alex Galyukov (STR US)
■題名 : Modeling and experimental analysis of zinc distribution and dislocation density evolution in CZT Bridgman crystal growth
発表者:Alex Galyukov (STR US)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.crystalgrowth.org/Santa-Fe.html
●The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
日時:2017年 9月17日(日) 〜 22日(金)
場所:Wardman Park Marriott (Washington, D.C., USA)
内容:ポスター発表、企業展示
■題名 : Model of growth of N- and Al-doped SiC structures in the SiH4+C3H8+HCl system
発表者:M.S. Ramm (STR)
■題名 : Transport Phenomena in PVT Growth of SiC Bulk Crystals
発表者:M.S. Ramm (STR)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://www.mrs.org/icscrm-2017

PageTop