event2019|結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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イベント
日本国内
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019)

日時:2019年5月19日(日)〜23日(木)
場所:Nara Kasugano International Forum 甍 IRAKA
形態:企業展示

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://www.csw-jpn.org/
第80回応用物理学会秋季学術講演会

日時:2019年9月18日(水)〜21日(土)
場所:北海道大学 札幌キャンパス
形態:企業展示

イベントの詳細は以下リンク先をご参照ください。
https://meeting.jsap.or.jp/jsap2019a/
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)

日時:2019年9月29日(日)〜10月4日(金)
場所:Kyoto International Conference Center
形態:企業展示およびポスター発表

ポスタータイトル:Effect of Material Loss through the Porous Crucible on SiC Bulk Crystal Growth
発表者:Mark Ramm (STR Group, Inc.)

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://www.icscrm2019.org/
第48回結晶成長国内会議(JCCG-48)

日時:2019年10月30日(水)〜11月1日(金)
場所:大阪大学 銀杏会館
形態:企業展示および口頭発表

口頭発表のタイトル:数値シミュレーションでわかるバルク結晶成長と結晶内温度勾配の関係〜さまざまな結晶種を例に〜
発表者:向山 裕次(STR Japan 株式会社)

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://www.jacg.jp/jp/event/2019/jccg-48/index.html
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)

日時:2019年11月10日(日)〜15日(金)
場所:Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University (OIST)
形態:企業展示およびポスター発表

ポスタータイトル:Computer simulation of bulk GaN crystal growth from Na-Ga solution
発表者:Yuji Mukaiyama (STR Japan K.K.)

ポスタータイトル:Numerical study on impact of solidification kinetic for β-Ga2O3 crystal growth by Czochralski method
発表者:Yuji Mukaiyama (STR Japan K.K.)

ポスタータイトル:Numerical Modeling of Carbon Doping and Experimental Validation in GaN Epitaxial Growth by MOVPE method
発表者:Masaya Iizuka (STR Japan K.K.)

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.apws2019.jp/
先進パワー半導体分科会第6回講演会

日時:2019年12月3日(火)〜4日(水)
場所:広島国際会議場
形態:企業展示

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://annex.jsap.or.jp/adps/scrm06/index.html
【自社主催セミナー】

結晶成長解析セミナー2019  
〜エンジニアリングツールとしての結晶成長シミュレーション〜


【日時】
2019年12月10日(火曜日)
セミナー:13時~18時00分(受付開始:12時半) 
懇親会:18時15分〜20時

【会場】
セミナー:横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 中会議室
(相鉄線天王町駅南口より徒歩5分もしくは JR 保土ヶ谷駅から無料シャトルバス)
懇親会:懇親会:プレッツオ1階スパイスプラス YBP 店

【参加費】
無料(セミナーおよび懇親会)

【演目】
「Si-CZ 結晶成長の総合数値解析」
西澤 伸一先生(九州大学)

「Cz 法における酸化物バルク結晶製造でのCGSim の実用
‐冷却時結晶内応力解析‐」
長田 隼弥様(オキサイド)

「Current status and new developments in
modeling of bulk crystal growth of silicon and III-V materials」
Vladimir Kalaev(STR Group)

「Virtual Reactor Nitride Edition を使用した
MOVPE 法での AlN エピタキシャル成長解析」
定 昌史様(理化学研究所)

「窒化物半導体結晶成長解析用ソフトウェアの活用方法
‐HVPE 法や MOVPE 法での窒化物結晶成長解析‐」
新田 州吾先生(名古屋大学)

「MOVPE 法での GaN, AlGaN エピタキシャル成長におけるカーボン取込解析」
Roman Talalaev(STR Group)

「新製品
エピタキシャル成長3次元解析スタンドアローンソフトウェア:CVDSim 3D
製品紹介」
Roman Talalaev(STR Group)

「CVDSim 3D ソフトウェアのデモンストレーション」
向山 裕次(STR Japan)

詳細については、以下リンク先をご参照ください。
ご案内(結晶成長解析セミナー2019)STRJapan
海外
International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-19)

日時:2019年7月28日(日)〜8月2日(金)
場所:Keystone Resort & Conference Center (Keystone, Colorado, USA)
形態:口頭発表

発表タイトル:Unsteady Numerical Simulation Considering Thermal Stress and Heavy Doping on Behavior of Intrinsic Point Defects in Large-diameter Si Crystal Growing by Czochralski Method
発表者:Yuji Mukaiyama (STR Japan K.K.)

発表タイトル:Numerical stress modeling of β-Ga2O3 crystal growth by Czochralski method
発表者:Masaya Iizuka (STR Japan K.K.)

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