新着情報|結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

お問合せ・資料請求
  • 会社情報
  • 採用情報
  • 個人情報保護
  • サイトマップ
新着情報

■該当件数66件中<31 ~ 40を表示> <前へ 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 次へ> 

2015/12/25

弊社冬季休暇のご連絡
12/28(月)〜 1/1(金)は、弊社冬季休暇となりますので、予めご了承下さい。

2015/9/3

採用情報を更新しました。 ご応募、お待ちしております。
イベント情報を追加しました。

●日本機械学会 第28回計算力学講演会(CMD2015)
日時:2015年 10月10日(土)〜12日(月)
場所:横浜国立大学
内容:口頭発表
題名: MOCVD 法での III 族窒化物エピタキシャル成長解析
発表者:塚田 佳紀
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jsme.or.jp/conference/cmdconf15/index.html

●第45回結晶成長国内会議(NCCG-45)
日時:2015年10月19日(月)〜21日(水)
場所:北海道大学 学術交流会館
内容:企業展示
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.jacg.jp/jacg/japanese/frame_main/18/nccg-45/index2015.html

●ISGN-6
日時:2015年11月 8日(日)〜13日(金)
場所:浜松アクトシティ
内容:企業展示、ポスター発表
題名:
・Kinetics of AlGaN MOVPE for deep UV applications
・Stress-dislocation management in MOCVD of GaN on SiC wafers
発表者:E. Yakovlev (STR Group–Soft-Impact Ltd.,)
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://isgn6.jp/

●先進パワー半導体分科会 第2回講演会
日時:2015年11月 9日(月)〜10日(火)
場所:大阪国際交流センター
内容:企業展示、インダストリアルセッションでの発表
題名:
発表者:
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://annex.jsap.or.jp/adps/scrm/index.html

発表事例を追加しました。

2015/8/27

Virtual Reactor ver7.4がリリースされました。

2015/07/23

弊社夏季休暇のご連絡
8/10(月)〜 8/14(金)は、弊社夏季休暇となりますので、予めご了承下さい。

2015/7/10

CGSim ver15.2がリリースされました。

2015/7/7

STREEMの製品紹介ページを公開しました。
STREEM製品ページへ

2015/7/2

SiLENSe ver5.8がリリースされました。

2015/6/11

発表事例を追加しました。
●融液からの結晶成長解析
題名 Advanced chemical model for analysis of Cz and DS Si-crystal growth
発表者 A.N. Vorob’ev, et al
発表先 Journal of Crystal Growth 386 (2014) 226–234
結晶名 Silicon

題名 Optimization of heating conditions during Cz BGO crystal growth
発表者 A.V. Kolesnikov, et al
発表先 Journal of Crystal Growth 407 (2014) 42-47
結晶名 BGO

題名 Crystal twisting in Cz Si growth
発表者 V. Kalaev, et al
発表先 Journal of Crystal Growth 413 (2015) 12-16
結晶名 Silicon

題名 3D melt convection in sapphire crystal growth: Evaluation of physical properties
発表者 V.V. Timofeev, et al
発表先 International Journal of Heat and Mass Transfer 87 (2015) 42-48
結晶名 Sapphire

●MOCVD 法による窒化物結晶成長
題名 Mechanism of stress relaxation in (0001) InGaN/GaN via formation ofV-shaped dislocation half-loops.
発表者 A.V. Lobanova, et al
発表先 Appl. Phys. Lett., 103 (2013) 152106.

題名 On Mechanisms Governing AlN and AlGaN Growth Rate and Composition in Large Substrate Size Planetary MOVPE Reactors.
発表者 M. Dauelsberg, et al
発表先 Journal of Crystal Growth, 393 (2014) 103-107.

題名 Transport Phenomena in Vapor Phase Epitaxy Reactors.
発表者 R. Talalaev, et al, In: Nishinaga T, Kuech TF, editors.
発表先 Handbook of Crystal Growth, Vol. III. Elsevier; 2015. pp.909–42.

●CVD 法による Si, SiGe 結晶成長
題名 Antimony surfactant for epitaxial growth of SiGe buffer layers at high deposition temperatures,
発表者 P. Storck, et al
発表先 Thin Solid Films 518 (2010) S23–S29

●光学デバイス ( LED, Laser )
題名 Theoretical and Experimental Study of Thermal Management in High-Power AlInGaN LEDs
発表者 A. E. Chernyakov, et al
発表先 Proc. 15th Int. Conf. on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems(2014) 1-5 / DOI: 10.1109/EuroSimE.2014.6813819
 
題名 Temperature-Dependent Internal Quantum Efficiency of Blue High-Brightness Light-Emitting Diodes
発表者 I. E. Titkov, et al
発表先 IEEE J. Quantum Electron. 50 (2014) 911-920.
 
題名 ABC-model for interpretation of internal quantum efficiency and its droop in III-nitride LEDs a review
発表者 S. Yu. Karpov, et al
発表先 Opt. Quantum Electron. (2014) / DOI: 10.1007/s11082-014-0042-9
 
題名 Strategies for creating efficient, beautiful whites
発表者 S. Yu. Karpov, et al
発表先 Compound Semiconductors, 21 (2015) 44-47.
 
題名 Optimal ways of colour mixing for high-quality white-light LED sources
発表者 K. A. Bulashevich, et al
発表先 Phys. Stat. Solidi (a), 212 (2015) 914-919.

●太陽電池
題名 Assessment of factors limiting conver­sion efficiency of single-junction III-nitride solar cells
発表者 K. A. Bulashevich, et al
発表先 Phys. Stat. Solidi (c) 11, (2014) 640-643.

2015/6/11

イベント情報2015(海外)を追加しました。

●EW MOVPE 2015
16th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy
日時:2015年 6月 7日(日)〜10日(水)
場所: AF building in Lund, Sweden
内容: イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.nano.lu.se/ewmovpe2015

●ACCGE-20
20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy
日時:2015年 8月 2日(日)〜7日(金)
場所: Big Sky, Montana, USA
内容: イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.crystalgrowth.org/ACCGE-20---OMVPE-17-Conference.html

●CCCG-17
日時:2015年 8月
場所: 中国
内容: イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://cccg17.hit.edu.cn/

●Symposium on High Power semiconductor devices and materials
日時:2015年
場所: 台湾
内容:

●1st Int. Forum on Sapphire Market & Technologies
日時:2015年 8月 31日(月)〜 9月 1日(火) 場所: Shenzhen, alongside the 17th China International Optoelectronic Expo 2015, China 内容: イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://www.i-micronews.com/yole-events/eventdetail/40/-/1st-int-forum-on-sapphire-market-technology.html

●ICSCRM2015
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
日時:2015年 10月 4日(日)〜 10月 9日(金) 場所: Congress Center Atahotel Naxos Beach, in Giardini Naxos, Italy
内容: イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://icscrm2015.imm.cnr.it/

2015/5/12

採用情報を掲載しました。
ご応募、お待ちしております。

発表事例を追加しました。

●融液および溶液からの結晶成長
題名 Na-Flux 法における窒化ガリウム単結晶成長のための数値解析
発表者 飯塚 将也(STR Japan 株式会社)
発表先 第7回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
結晶名 GaN

●CVD 法による SiC 結晶成長
題名 Study of Al Incorporation in Chemical Vapor Deposition
of p-Doped SiC
発表者 A.S. Segal, et al
発表先 Materials Science Forum Vols 821-823 (2015) pp 145-148

●光学デバイス ( LED, Laser )
題名 Spectral dependence of light extraction efficiency of high-power III-nitride light-emitting diodes
発表者 S. Yu. Karpov, et al
発表先 Phys. Status Solidi RRL (2015) / DOI 10.1002/pssr.201510073

イベント情報を追加しました。

●「次世代パワー半導体デバイスの進展」
日時 2015年7月9 日(木) 13:00〜17:35
場所 産総研つくば西事業所 TIA 連携棟 TIA-nano ホール
内容 企業広告
イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
http://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai03.pdf

■該当件数66件中<31 ~ 40を表示> <前へ 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 次へ> 

このページの先頭に戻る