イベント
| Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) 日時：2019年5月19日（日）〜23日（木） 場所：Nara Kasugano International Forum 甍 IRAKA 形態：企業展示 イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 https://www.csw-jpn.org/ |
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| 第80回応用物理学会秋季学術講演会 日時：2019年9月18日（水）〜21日（土） 場所：北海道大学 札幌キャンパス 形態：企業展示 イベントの詳細は以下リンク先をご参照ください。 https://meeting.jsap.or.jp/jsap2019a/ |
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| International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)
日時：2019年9月29日（日）〜10月4日（金） 場所：Kyoto International Conference Center 形態：企業展示およびポスター発表 ポスタータイトル：Effect of Material Loss through the Porous Crucible on SiC Bulk Crystal Growth 発表者：Mark Ramm (STR Group, Inc.) イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 https://www.icscrm2019.org/ |
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| 第48回結晶成長国内会議（JCCG-48） 日時：2019年10月30日（水）〜11月1日（金） 場所：大阪大学 銀杏会館 形態：企業展示および口頭発表 口頭発表のタイトル：数値シミュレーションでわかるバルク結晶成長と結晶内温度勾配の関係〜さまざまな結晶種を例に〜 発表者：向山 裕次（STR Japan 株式会社） イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 https://www.jacg.jp/jp/event/2019/jccg-48/index.html |
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| The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
日時：2019年11月10日（日）〜15日（金） 場所：Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University (OIST) 形態：企業展示およびポスター発表 ポスタータイトル：Computer simulation of bulk GaN crystal growth from Na-Ga solution 発表者：Yuji Mukaiyama (STR Japan K.K.) ポスタータイトル：Numerical study on impact of solidification kinetic for β-Ga2O3 crystal growth by Czochralski method 発表者：Yuji Mukaiyama (STR Japan K.K.) ポスタータイトル：Numerical Modeling of Carbon Doping and Experimental Validation in GaN Epitaxial Growth by MOVPE method 発表者：Masaya Iizuka (STR Japan K.K.) イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 http://www.apws2019.jp/ |
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| 先進パワー半導体分科会第6回講演会 日時：2019年12月3日(火)〜4日(水) 場所：広島国際会議場 形態：企業展示 イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 https://annex.jsap.or.jp/adps/scrm06/index.html |
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| 【自社主催セミナー】 結晶成長解析セミナー2019 〜エンジニアリングツールとしての結晶成長シミュレーション〜 【日時】 2019年12月10日（火曜日） セミナー：13時~18時00分（受付開始：12時半） 懇親会：18時15分〜20時 【会場】 セミナー：横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 中会議室 （相鉄線天王町駅南口より徒歩5分もしくは JR 保土ヶ谷駅から無料シャトルバス） 懇親会：懇親会：プレッツオ1階スパイスプラス YBP 店 【参加費】 無料（セミナーおよび懇親会） 【演目】 「Si-CZ 結晶成長の総合数値解析」 西澤 伸一先生（九州大学） 「Cz 法における酸化物バルク結晶製造でのCGSim の実用 ‐冷却時結晶内応力解析‐」 長田 隼弥様（オキサイド） 「Current status and new developments in modeling of bulk crystal growth of silicon and III-V materials」 Vladimir Kalaev（STR Group） 「Virtual Reactor Nitride Edition を使用した MOVPE 法での AlN エピタキシャル成長解析」 定 昌史様（理化学研究所） 「窒化物半導体結晶成長解析用ソフトウェアの活用方法 ‐HVPE 法や MOVPE 法での窒化物結晶成長解析‐」 新田 州吾先生（名古屋大学） 「MOVPE 法での GaN, AlGaN エピタキシャル成長におけるカーボン取込解析」 Roman Talalaev（STR Group） 「新製品 エピタキシャル成長3次元解析スタンドアローンソフトウェア：CVDSim 3D 製品紹介」 Roman Talalaev（STR Group） 「CVDSim 3D ソフトウェアのデモンストレーション」 向山 裕次（STR Japan） 詳細については、以下リンク先をご参照ください。 ご案内（結晶成長解析セミナー2019）STRJapan |
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| International Conference on Crystal Growth and Epitaxy（ICCGE-19） 日時：2019年7月28日（日）〜8月2日（金） 場所：Keystone Resort & Conference Center (Keystone, Colorado, USA) 形態：口頭発表 発表タイトル：Unsteady Numerical Simulation Considering Thermal Stress and Heavy Doping on Behavior of Intrinsic Point Defects in Large-diameter Si Crystal Growing by Czochralski Method 発表者：Yuji Mukaiyama (STR Japan K.K.) 発表タイトル：Numerical stress modeling of β-Ga2O3 crystal growth by Czochralski method 発表者：Masaya Iizuka (STR Japan K.K.) |
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