イベント
| International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2020 (SISPAD 2020) 日時：2020年9月23日（水）10月〜6日（火） 場所：Virtual conference 形態：口頭発表 発表タイトル：Numerical Modeling of Effect of Thermal Stress and Heavy Doping for Behavior of Intrinsic Point Defects in Si Crystal Growing by Czochralski Method 発表者：Yuji Mukaiyama (STR Japan K.K.) イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。 https://sites.google.com/view/sispad2020/%E3%83%9B%E3%83%BC%E3%83%A0 http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-nanoelectronics/SISPAD2020/sispad2020_workshop2_program_20200806.pdf |
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