製品情報
結晶成長解析ソフトウェア
 |
シーメンスプロセスでの多結晶シリコン結晶成長解析 |
|---|
| 得られる結果例 成長速度、生産量、エネルギー消費量、シリコンの変換率、ポップコーン現象の有無、 電流値、トータル電圧・パワー、輻射・対流・ガスによる熱ロス、ガスの流速・温度、 ガスのCl/Si 比 など |
 |
|---|
 |
融液および溶液からの結晶成長解析 成長法 : Cz, MCz, LEC, Brigdman, DS, Kyropoulos, EFG, HEM, Flux, Amonothermal など 結晶種 : Si, Al2O3, CaF2, Ge, YAG, GGG, InP, GaAs, Ge, GaN, SiC, Diamond など |
|---|
| 得られる結果例 温度や流れ・化学種の分布、不純物濃度、偏析、熱応力、転位、点欠陥、 成長速度、固液界面形状、 抵抗および誘導加熱のパワー、 参照点を満たすヒーターパワー など |
|
|---|
 |
気相からの結晶成長解析（バルクおよびエピタキシャル成長） 成長法 : PVT, HVPE, CVD, HTCVD, MOCVD 結晶種 : SiC, AlN, AlGaN, GaN, InGaN, InN, AlInN, GaAs, InP, AlGaAs, InGaAs, InGaP, InGaAlP など |
|---|
| 得られる結果例 温度や流れ・化学種の分布、不純物濃度、組成比 成長速度、気相中での粒子の密度、寄生成長、 熱応力、転位密度、長時間成長時の成長結晶形状変化 抵抗および誘導加熱のパワー、参照点を満たすヒーターパワー など |
|
|---|
 |
エピタキシャル成長解析用化学反応モデルアドオンモジュール 成長法 : MOCVD, HVPE, CVD, HTCVD 結晶種 : GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlInN, p-GaN, SiC, Si, GaAs, InP, AlGaAs, InGaAs, InGaP, InGaAlP 対応する汎用流体解析解析ソフトウェア : CFD-ACE+, Fluent |
|---|
| 得られる結果例 (CFD-ACE+ や Fluent と併用する必要があります) 温度や流れ・化学種の分布、不純物濃度、組成比、 成長速度、気相中での粒子の密度、寄生成長 など |
|
|---|
 |
高効率半導体デバイス設計のためのMOCVD法でのⅢ族窒化物成長プロセスにおける歪みエンジニアリングソフトウェア（MOCVD 法での窒化物エピタキシャル成長における転位や歪み・反りの解析） |
|---|
| 得られる結果例 成長速度予測、QWs やバリア層でのインジウム組成、応力変化および歪み緩和、 転位密度予測、反りおよび曲率、クラック予測 など |
|
|---|
デバイス解析ソフトウェア
 |
半導体デバイス用バンドギャップモデリング 内蔵する物性値 : AlInGaN, CdMgZnO, AlInGaAs, AlGaInP, GaInAsP, AlGaInSb, InAsSb など |
|---|
| 得られる結果例 バンドダイアグラム、キャリア密度、発光性／非発光性の再結合確率、分極の効果、 電場、量子効果、発光スペクトル、利得スペクトル、内部量子効率、電流注入効率、 電流電圧特性、フォトルミネッセンス、二次元電子ガス濃度 など |
|
|---|
 |
LED 素子中の電流および温度分布解析 |
|---|
| 得られる結果例 素子全体での電位・電流密度・温度の三次元分布、活性層面での p-n 接合のバイアス電圧、 電流密度、温度、内部量子効率、放射発散度の二次元分布、電極間の電流電圧特性、 外部量子効率、ウォールプラグ効率 など |
|
|---|
 |
レイトレーシングによる光取り出し解析 |
|---|
| 得られる結果例 素子からの光取り出し効率、近視野と遠視野での発光パターン、偏光の解析、 六角形・四角形・半球形の突起パターン面での光散乱、半透明積層金属電極での 光透過・反射・吸収 など |
|
|---|
 |
LED ランプおよびアレイ解析 |
|---|
| 得られる結果例 温度や流れの分布、成長速度、気相中での粒子の密度、抵抗および誘導加熱のパワー、 参照点を満たすヒーターパワー など |
|
|---|
 |
半導体太陽電池解析 |
|---|
| 得られる結果例 パッケージ内の光ロス、ランプ内の温度分布の時間変化、近視野と遠視野の発光パターン 発光スペクトル、色温度(CCT)、色座標（観測角ごとに）、演色指数(CCT)、ランプ効率、 光束、放射束、LEDアレイと回路の総合的な電気的と熱的特性、直流・交流・疑似連続の 電流供給下で動作するLEDの特性 など |
|
|---|
 |
Ⅲ族窒化物 HEMT 解析 |
|---|
| 得られる結果例 HEMT ヘテロ構造における、バンド構造、キャリア輸送、電流-電圧特性等 など |
|
|---|
 |
III-族窒化物超格子解析 |
|---|
| 得られる結果例 III族窒化物超格子ヘテロ構造におけるバンド構造、発光スペクトル など |
|
|---|
