イベント|結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】

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International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2020 (SISPAD 2020)

日時:2020年9月23日(水)10月〜6日(火)
場所:Virtual conference
形態:口頭発表

発表タイトル:Numerical Modeling of Effect of Thermal Stress and Heavy Doping for Behavior of Intrinsic Point Defects in Si Crystal Growing by Czochralski Method
発表者:Yuji Mukaiyama (STR Japan K.K.)

イベントの詳細は、以下リンク先をご参照ください。
https://sites.google.com/view/sispad2020/%E3%83%9B%E3%83%BC%E3%83%A0
http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-nanoelectronics/SISPAD2020/sispad2020_workshop2_program_20200806.pdf

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