STREEM
STRain Engineering in Electronic Materials
高効率半導体デバイス設計のためのMOCVD法でのⅢ族窒化物成長プロセスにおける歪エンジニアリングソフトウェア
(MOCVD法での窒化物エピタキシャル成長における転位や歪み・反りの解析)
高効率半導体デバイス設計のためのMOCVD法でのⅢ族窒化物成長プロセスにおける歪エンジニアリングソフトウェア
(MOCVD法での窒化物エピタキシャル成長における転位や歪み・反りの解析)
STREEM新着情報
| ■2015.07.07 STREEM 製品紹介ページを公開しました。 |
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製品概要
STREEMは、エピ成長条件、成長レシピが光・電子デバイス（LED, HEMT）のヘテロ構造特性に対する影響を解析する事が出来るシミュレーションソフトウェアです。
また、デバイスシミュレーションソフトウェア（SiLENSe）と連携させる事に より、最終的に成長レシピがデバイス特性に与える影響を解析する事が出来ます。
STREEMは、以下二つのエディションが存在します。
また、デバイスシミュレーションソフトウェア（SiLENSe）と連携させる事に より、最終的に成長レシピがデバイス特性に与える影響を解析する事が出来ます。
STREEMは、以下二つのエディションが存在します。
●InGaN edition
青色/緑色LED向けのInGaN/GaNヘテロ構造における、ヘテロ構造内の表面偏析を考慮したインジウム組成分布、格子不整合に起因する歪・応力、V字転位形成による応力緩和をシミュレーションにより予測する事が出来ます。
InGaN edition 製品紹介ページへ
青色/緑色LED向けのInGaN/GaNヘテロ構造における、ヘテロ構造内の表面偏析を考慮したインジウム組成分布、格子不整合に起因する歪・応力、V字転位形成による応力緩和をシミュレーションにより予測する事が出来ます。
InGaN edition 製品紹介ページへ
図1.InGaN/GaN量子井戸内のインジウム組成分布
図2.格子緩和した場合の量子井戸内インジウム組成分布
●AlGaN edition
深紫外LED, HEMT向けのAlGaN/GaNヘテロ構造における、ヘテロ構造内の温度や格子不整合による歪・応力、ヘテロ構造の反り・曲率、貫通転位の発生・傾きによる応力緩和、クラックをシミュレーションにより 予測する事が出来ます。
AlGaN edition 製品紹介ページへ
深紫外LED, HEMT向けのAlGaN/GaNヘテロ構造における、ヘテロ構造内の温度や格子不整合による歪・応力、ヘテロ構造の反り・曲率、貫通転位の発生・傾きによる応力緩和、クラックをシミュレーションにより 予測する事が出来ます。
AlGaN edition 製品紹介ページへ
図3. GaN-AlN-on Si ヘテロ構造
図4. ヘテロ構造内の応力分布
各エディションの製品特長
各エディションの詳しい内容は、以下サイトでご確認いただけます。
■STREEM InGaN edition
青色/緑色LED向けのInGaN/GaNヘテロ構造向けエディション
■STREEM AlGaN edition
深紫外LED, HEMT向けのAlGaN/GaNヘテロ構造向けエディション
■STREEM InGaN edition
青色/緑色LED向けのInGaN/GaNヘテロ構造向けエディション
■STREEM AlGaN edition
深紫外LED, HEMT向けのAlGaN/GaNヘテロ構造向けエディション
解析事例
現在準備中です。しばらくお待ちください。
動作環境
GUI（計算条件設定、計算結果出力）：Windows OS
2GB RAM, Windows7 Professional 以上
2GB RAM, Windows7 Professional 以上
